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半导体器件动态参数测试系统

详细说明发布时间:2020-05-26 08:58 浏览次数:75
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品牌:西安易恩电气
电压频率:50Hz±1Hz
系统功耗:320W
尺 寸:800x800x1800mm
单价: 188.00元/台
起订: 1 台
供货总量: 100 台
发货期限: 自买家付款之日起 3 天内发货
所在地: 陕西 西安市
有效期至: 长期有效
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产品介绍
  EN-2020A半导体器件动态参数测试系统

系统概述

IGBT是广泛应用于现代中、大功率变换器中的主流半导体开关器件,其开关特性决定装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性,直接影响变换器的性能。因此准确测量功率开关元件的开关性能具有极其重要的实际意义。

 EN-2020A半导体器件动态参数测试系统,该系统是针对IGBT器件的开关性特性及IGBT内部续流二极管的反向恢复特性而专门设计的一套全自动测试系统,适用于电流不超过1500A和集电极电压不超过3500V的IGBT器件开关时间测试以及正向电流不超过2000A的二极管反向恢复特性的测试。

基础规格

规    格:1800×800×800(mm)

质    量:155Kg

环境温度:15~40℃

相对湿度:小于80%

大气压力:86Kpa~ 106Kpa

电网电压:AC220V±10%无严重谐波

电网频率:50Hz±1Hz

参数/条件

 

IGBT开通特性测试

IGBT关断特性测试

测试气动夹具

测试参数

开通延迟 tdon

10-1000ns±5%±10ns

Tj=25℃和125℃

关断时间tdoff

10-1000ns±5%±10ns

Tj=25℃和125℃

压力:

5000PA的品牌空压机供气。

控温范围:

25℃-200℃

控温精度:

±1.0℃±1%

器件接触:

20个探针的接触矩阵

 

上升时间

tr

10-1000ns±5%±10ns

Tj=25℃和125℃

下降时间tf

10-1000ns±5%±10ns

Tj=25℃和125℃

开通能量

Eon

10-1000ns±5%±10ns

Tj=25℃和125℃

关断能量Eoff

10-1000ns±5%±10ns

Tj=25℃和125℃

测试条件

集电极电压Vce

50-3500V±5%

根据用户要求定制

集电极电压Vce

50-3500V±5%

根据用户要求定制

集电极电流Ice

50-1500V±5%

根据用户要求定制

集电极电流Ice

50-1500V±5%

根据用户要求定制

负载L

20-1000uH

L负载

20-1000uH

栅极电压Vge

±15V±3%±0.2V

 

 

短路测试Sct

一次短路 / 脉宽10uS / 短路电流10KA

二极管反向恢复测试Drr

反向恢复电流 / 反向时间 / 反向di / dt


半导体器件动态参数测试系统
网址:http://www.wanfaw.com/gongying/show-30689.html
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