概述
向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时,电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减,此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量,表示施加电压时的抗击穿性。对于那些在元件两端产生较大尖峰电压的应用场合,就要考虑器件的雪崩能量,电压尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定,因此对于反激的应用场合,电路关断时会产生较大的电压尖峰。通常的情况下,功率器件都会降额,从而留有足够的电压余量,但是一些电源在输出短路时,初级会产生较大的电流,加上初级电感,器件就会有雪崩损坏的可能,因此在这样的应用条件下,就要考虑器件的雪崩能量。另外,由于一些电机的负载是感性负载,而启动和堵转过程中会产生极高的冲击电流,因此也要考虑器件的雪崩能量。
ENX2020雪崩耐量测试仪是本公司研发设计的测试IGBT、MOSFET、二极管雪崩耐量的专业测试设备,能够准确快速的测试出IGBT、MOSFET、、二极管的雪崩耐量。
西安易恩电气ENX2020 雪崩耐量测试系统,该设备包括:可控直流电源、可选电感、电流传感器、电压传感器、雪崩保护电压、IGBT、MOSFET、二极管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二极管功率型器件保护电路、计算机控制系统、雪崩电压采集系统、雪崩电流采集系统、测试夹具、测试标准适配器、外接测试端口(根据客户需求)等多个部分。
规格/环境要求
电压频率:50Hz±1Hz
环境温度:15~40℃
工作湿度:温度不高于+30℃时,相对湿度5%-80%。
温度+30℃到+50℃时相对湿度5%-45%,无冷凝。
大气压力: 86Kpa~106Kpa
海拔高度:不超过3000米。
尺 寸:800x800x1800mm
质 量:210KG
工作电压:AC220V±10%无严重谐波
系统功耗:320W
通信接口:USB RS232
技术指标
配置 |
测试范围 |
测试参数 |
条件 |
范围 |
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电压 1000V |
IGBTs 绝缘栅双极型晶体管 |
EAS/单脉冲雪崩能量 |
VCE |
20V-4500V |
20-100V±3%±1V 100-1000V±3%±5V 1000-4500V±3%±10V |
电流 200A |
MOSFETs MOS场效应管 |
EAR/重复脉冲雪崩能量 |
Ic |
1mA-200A |
1mA-100mA±3%±0.1mA 100mA-2A±3%±5mA 2A-200A±3%±50mA |
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DIODEs 二极管 |
IAS/单脉冲雪崩电流 |
Ea |
1J-2000J |
1J-100J±3%±1J 100J-500J±3%±5J 500J-2000J±3%±10J |
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PAS/单脉冲雪崩功率 |
IC检测 |
50mV/A(取决于传感器) |
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感性负载 |
10mH、20mH、40mH、80mH、100mH |
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重复间隙时间 |
1-60s可调(步进1s)重复次数:1-50次 |
半导体器件雪崩耐量测试系统
网址:http://www.wanfaw.com/gongying/show-30690.html