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半导体器件雪崩耐量测试系统

详细说明发布时间:2020-05-26 08:59 浏览次数:71
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品牌:西安易恩电气
电压频率:50Hz±1Hz
系统功耗:320W
尺 寸:800x800x1800mm
单价: 188.00元/台
起订: 1 台
供货总量: 100 台
发货期限: 自买家付款之日起 3 天内发货
所在地: 陕西 西安市
有效期至: 长期有效
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产品介绍
 ENX2020  雪崩耐量测试系统

概述

向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时,电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减,此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量,表示施加电压时的抗击穿性。对于那些在元件两端产生较大尖峰电压的应用场合,就要考虑器件的雪崩能量,电压尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定,因此对于反激的应用场合,电路关断时会产生较大的电压尖峰。通常的情况下,功率器件都会降额,从而留有足够的电压余量,但是一些电源在输出短路时,初级会产生较大的电流,加上初级电感,器件就会有雪崩损坏的可能,因此在这样的应用条件下,就要考虑器件的雪崩能量。另外,由于一些电机的负载是感性负载,而启动和堵转过程中会产生极高的冲击电流,因此也要考虑器件的雪崩能量。

ENX2020雪崩耐量测试仪是本公司研发设计的测试IGBT、MOSFET、二极管雪崩耐量的专业测试设备,能够准确快速的测试出IGBT、MOSFET、、二极管的雪崩耐量。

西安易恩电气ENX2020  雪崩耐量测试系统,该设备包括:可控直流电源、可选电感、电流传感器、电压传感器、雪崩保护电压、IGBT、MOSFET、二极管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二极管功率型器件保护电路、计算机控制系统、雪崩电压采集系统、雪崩电流采集系统、测试夹具、测试标准适配器、外接测试端口(根据客户需求)等多个部分。

规格/环境要求

电压频率:50Hz±1Hz

环境温度:15~40℃

工作湿度:温度不高于+30℃时,相对湿度5%-80%。

温度+30℃到+50℃时相对湿度5%-45%,无冷凝。

大气压力: 86Kpa~106Kpa

海拔高度:不超过3000米。

尺    寸:800x800x1800mm

质    量:210KG

工作电压:AC220V±10%无严重谐波

系统功耗:320W

通信接口:USB RS232

技术指标

配置

测试范围

测试参数

条件

范围

电压

1000V

IGBTs

绝缘栅双极型晶体管

EAS/单脉冲雪崩能量

VCE

20V-4500V

20-100V±3%±1V

100-1000V±3%±5V

1000-4500V±3%±10V

电流

200A

MOSFETs

MOS场效应管

EAR/重复脉冲雪崩能量

Ic

1mA-200A

1mA-100mA±3%±0.1mA

100mA-2A±3%±5mA

2A-200A±3%±50mA

 

DIODEs

二极管

IAS/单脉冲雪崩电流

Ea

1J-2000J

1J-100J±3%±1J

100J-500J±3%±5J

500J-2000J±3%±10J

 

 

PAS/单脉冲雪崩功率

IC检测

50mV/A(取决于传感器)

 

 

 

感性负载

10mH、20mH、40mH、80mH、100mH

 

 

 

重复间隙时间

1-60s可调(步进1s)重复次数:1-50次


半导体器件雪崩耐量测试系统
网址:http://www.wanfaw.com/gongying/show-30690.html
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